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에스케이하이닉스(주) (정정)장래사업ㆍ경영 계획(공정공시)
SK하이닉스 2017.07.26 17:26 댓글0
정정신고(보고)
| 정정일자 | 2017-07-26 |
| 1. 정정관련 공시서류 | 장래사업·경영 계획(공정공시) | |
| 2. 정정관련 공시서류제출일 | 2017-01-26 | |
| 3. 정정사유 | 2017년 시설투자 계획 확대 | |
| 4. 정정사항 | ||
| 정정항목 | 정정전 | 정정후 |
| 2. 주요내용 및 추진일정("세부내용") | 당사는 해외법인을 포함하여 약 7조원의 시설투자를 계획하고 있음. 주요 투자항목은 - 10나노급 DRAM 양산과 48단 및 72단 3D NAND 전개를 위한 투자, - 중장기 경쟁력 강화를 위한 신규 클린룸 건설 및 관련 인프라 투자 등 |
시장 환경 변화에 적극적으로 대응하고, 사업경쟁력 강화와 미래성장 기반 확보를 위해 당사는 해외법인을 포함한 2017년 시설투자 계획을 당초 약 7조원에서 약 9.6조원으로 변경함. 주요 변경 투자항목은 - 미래 성장동력 확보를 위한 신규 클린룸 건설, 기반 인프라 및 연구개발 투자, - DRAM 수요의 안정적인 대응 및 3D NAND 의 Capa 확대를 위한 투자 등 |
| 2. 주요내용 및 추진일정("예상투자금액") | 약 7조원 | 약 9.6조원 |
| 4. 이사회결의일(결정일) | - | 2017-07-26 |
| - |
장래사업ㆍ경영 계획(공정공시)
| ※ 동 정보는 장래 계획사항으로서 향후 변경될 수 있음. | ||||
| 1. 장래계획 사항 | 2017년 투자계획 | |||
| 2. 주요내용 및 추진일정 | 목적 | 본원적 기술 경쟁력 강화 | ||
| 세부내용 | 시장 환경 변화에 적극적으로 대응하고, 사업경쟁력 강화와 미래성장 기반 확보를 위해 당사는 해외법인을 포함한 2017년 시설투자 계획을 당초 약 7조원에서 약 9.6조원으로 변경함. 주요 변경 투자항목은 - 미래 성장동력 확보를 위한 신규 클린룸 건설, 기반 인프라 및 연구개발 투자, - DRAM 수요의 안정적인 대응 및 3D NAND 의 Capa 확대를 위한 투자 등 |
|||
| 추진일정 | 시작일 | 2017-01-01 | ||
| 종료일 | 2017-12-31 | |||
| 예상투자금액 | 약 9.6조원 | |||
| 기대효과 | 기술중심 회사로의 입지 강화 및 장기 성장 기반 확보 | |||
| 3. 장애요인 | - | |||
| 4. 이사회결의일(결정일) | 2017-07-26 | |||
| 5. 정보제공내역 | 정보제공자 | 당사 IR팀 | ||
| 정보제공대상자 | 투자자, 애널리스트 및 언론사 | |||
| 정보제공(예정)일시 | 2017-01-26 | |||
| 행사명(장소) | - | |||
| 6. 연락처(관련부서/전화번호) | IR팀 / 031-8093-4801~6 | |||
| 7. 기타 투자판단과 관련한 중요사항 | ||||
| - 상기 투자계획은 향후 시장상황 및 경영 환경변화에 따라 변동될 수 있습니다. | ||||
| 진행사항공시예정일 | - | |||
| ※ 관련공시 | 2017-01-26 장래사업ㆍ경영 계획(공정공시) |
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